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      详细说明

      1206贴片 雪崩二极管APD S14644-05 尊龙凯时-人生就是搏传感器 光学测距探测器

      • 商品说明

      1206 贴片雪崩二极管 APD，S14644-05尊龙凯时-人生就是搏传感器，光学测距探测器 激光测距仪


      该产品应用于光学测距，条形码扫描器，以及电信开关、数据通讯网络、自由空间数据传输、光存储、激光打印机、dvd播放器、安保光屏障、测量设备、尊龙凯时-人生就是搏控制、流体及气体监测、荧光治疗、光复印和荧光检测、计数器和分拣机、红外应用系统、非接触式位置传感、基准面检测、机器自动化等等，欢迎咨询！



      1684291130428.png

      Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)

      Parameter

      Symbol

      Rating

      Units

      Effective photosensitive area size*1 

      Es

      0.5

      mm

      Effective photosensitive area

      EA

      0.16

      mm2

      Power Dissipation*@ 22°C

      Pd

      100

      mW

      Lead Soldering Temperature*2

      Tsol

      260

      ℃

      Operating Temperature

      Topr

      -20 ~ +60

      ℃

      Storage Temperature

      Tstg

      -55 ~ +100

      ℃

      Notes:   *1: Area in which a typical gain can be obtained  

      *2:Soldering time≦5 seco

      Electro-Optical Characteristics

      ELECTRO・OPTICAL CHARACTERISTICS @ 22 °C

      SYMBOL

      CHARACTERISTIC

      TEST CONDITIONS

      MIN

      TYP

      MAX

      UNITS

      Id

      Dark Current

      M = 100*

      一

      0.5

      2.0

      nA

      c

      Capacitance

      M = 100*

      一

      2.2

      一

      pF

      Vbr

      Breakdown Voltage

      Id=2 卩A

      80

      200

      —

      V


      Temperature Coefficient ofVbr


      0.35

      0.45

      0.55

      V/K


      Responsivity

      M = 100; = 0 V;X = 800 nm

      45

      50

      一

      A/W


      Bandwidth

      -3dB

      一

      1.0

      一

      GHz

      tr

      Rise Time



      350

      —

      ps


      Optimum Gain


      50

      60

      —



      "Excess Noise" factor

      M = 100

      一

      2.2

      一



      "Excess Noise” index

      M = 100

      一

      0.2

      —



      Noise Current

      M = 100

      --

      1.0

      一

      pA/Hz1,2


      Max Gain


      200


      一


      NEP

      Noise Equivalent Power

      M = 100; X = 800 nm

      一

      2.0 X10-14

      一

      W/Hz12

      Measurement conditions: Setup of photo current 10 nA at M = 1 and irradiated by a 680 nm, 60 nm bandwidth LED.

      Increase the photo current up to 1 μA, (M = 100)by internal multiplication due to an increasing bias voltage.


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